分光光度法從宏觀來看是利用物質對不同波長光的選擇吸收特性而建立的分析方法。從微觀角度，基于分子內電子的躍遷而產(chǎn)生吸收光譜。原子或分子的外層電子在未受光照射之前，電子能量均處于Z低能級，稱之為基態(tài)，當電子吸收光的輻射，產(chǎn)生電子能級的躍遷，形成吸收光譜。電子躍遷的能級差決定了吸收光譜的波長及位置，因此吸收曲線（峰形、峰位、峰數(shù)）可以作為物質定性分析的依據(jù)。

　　材料的結構影響其性能，對半導體材料的結構進行表征，可以通過其電子能帶結構解析材料的光電性能，因此對半導體材料的能帶結構測試十分關鍵。

　　

　　光源的作用是提供激發(fā)能，使待測分子產(chǎn)生吸收。要求在整個紫外光區(qū)、可見光區(qū)和近紅外光區(qū)發(fā)射連續(xù)光譜，具有足夠的輻射強度、較好的穩(wěn)定性、較長的使用壽命。在可見光區(qū)及近紅外光區(qū)一般使用鎢燈作為光源，波長范圍320-3300nm；在紫外區(qū)一般使用氘燈作為光源，波長范圍185-320nm。